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J-GLOBAL ID：200903045631416798

アクティブマトリクス基板の製造方法

Inventor： 鳥山 重隆 ,  福田 加一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996179216
Publication number (International publication number)：1998020342
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコン系絶縁膜及び感光性の有機系絶縁膜の積層上に形成される画素電極をスイッチング素子と導通する為のコンタクトホール形成時の工程数を削減し生産性向上を図ると共に、コンタクトホール形成時に生じる絶縁膜のエッチングダメージを防止する。【解決手段】 第1及び第2の上部コンタクトホール43a、45aがパターン形成されたアクリル系樹脂46をマスクにして、C(炭素)、H(酸素)、F(フッ素)を含む反応ガスを用いてリアクティブイオンエッチングにより窒化シリコン膜44に第1及び第2の下部コンタクトホール43b、45bを形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に第1の電気配線を形成する工程と、前記絶縁基板上に前記第1の電気配線と交差する第2の電気配線を形成する工程と、前記第1の電気配線及び前記第2の電気配線の交差部にマトリクス状にスイッチング素子を形成する工程と、前記絶縁基板上にて前記第1の電気配線及び前記第2の電気配線並びに前記スイッチング素子を被覆するシリコン系絶縁膜を成膜する工程と、このシリコン系絶縁膜上に感光性の有機系透明絶縁膜を積層する工程と、フォトリソグラフィ工程により前記有機系透明絶縁膜に上部コンタクトホールを形成する工程と、前記上部コンタクトホールを有する前記感光性の有機系透明絶縁膜をマスクとして前記シリコン系絶縁膜に前記上部コンタクトホールと同形状の下部コンタクトホールを形成する工程と、前記感光性の有機系透明絶縁膜上にマトリクス状に配列され前記上部及び下部コンタクトホールを介し前記スイッチング素子と電気的に接続する画素電極を形成する工程とを具備する事を特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 338

FI (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 338