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J-GLOBAL ID：200903045639696625

半導体装置の製造方法

Inventor： 石川 明夫
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993095445
Publication number (International publication number)：1994283684
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 誘電体膜を可及的に薄膜化できると共にそのリーク電流を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 窒化シリコン膜を更に窒化することにより、窒化シリコン膜形成時に発生した窒化シリコン膜の欠陥部がほぼ完全に窒化され、窒化シリコン膜の膜質を向上させることができる。その結果、窒化シリコン膜のリーク電流を低減させることができる。従って、容量素子の容量を大きく、または容量を確保したまま容量素子の面積を小さくすることが可能となり、半導体装置の安定動作や集積度向上に大きく寄与することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜として窒化シリコン膜を有する半導体装置の製造方法に於て、前記窒化シリコン膜を形成した後に該窒化シリコン膜を更に窒化させる過程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 325 C