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J-GLOBAL ID：200903045656557809

ツェナーザップダイオードおよびその製造方法

Inventor： 荒井 千広
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995134197
Publication number (International publication number)：1996330606
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高融点金属の電極材料を用いてもツェナーザップダイオードの機能を損なうことなく、また不必要な容量の排除と逆方向電流増加を抑えたツェナーザップダイオードを形成する。【構成】 絶縁膜12上の半導体膜にツェナーザップダイオード1を形成し、このツェナーザップダイオード1のカソード電極17とアノード電極18とはコンタクト部の半導体膜をエッチングした後に形成する。【効果】 高融点金属の電極材料を用いたツェナーザップダイオードでも、抵抗のトリミング時にツェナーザップダイオードを容易にザッピングさせることが可能となる。更に、ツェナーザップダイオードに不必要な容量が付加されず、逆方向電流増加も避けられる。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体と第2導電型半導体の接合で形成されるツェナーザップダイオードにおいて、前記ツェナーザップダイオードを半導体基板上の絶縁膜上の半導体膜に構成することを特徴とするツェナーザップダイオード。