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J-GLOBAL ID：200903045659019514

小型光半導体装置

Inventor： 佐倉 成之 ,  杉崎 雅之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242423
Publication number (International publication number)：1994097510
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プリント基板に実装後の小型光半導体装置の高さを従来より低くすると共に、インナーリードの配線を整然とすることにより浮遊容量及び誘導Lを抑制して高速化を目指す点。【構成】 光半導体素子及びその駆動用集積回路をマウントするのに、従来のようにSIP でなくDIP などの板状の導電性金属を利用して多ピン化に対応し、プリント基板とインナーリードが平行になるようにする。従って、モールドする透光性樹脂には、平坦部の外に形成する突出部を光ファイバに対応して設置する。この結果、光ファイバまたは光半導体素子からの光軸は、透光性樹脂界面でほぼ直角に曲がり、コンパクトで浮遊容量及び誘導Lを抑制して高速化が得られる。

Claim (excerpt)：

板状の導電性金属に電気的に接続する光半導体素子と,この光半導体素子を埋込む封止透光性樹脂層と,前記板状の導電性金属の主面にほぼ沿って配置する光ファイバーの第1の光軸と,前記板状の導電性金属の主面に交差する光半導体素子または光ファイバーからの第2の光軸と,この第2の光軸と第1の光軸が交わる前記封止透光性樹脂層部分に設置する突出部とを具備し,この突出部に到達する光軸が曲がって光ファイバーまたは光半導体素子に結合することを特徴とする小型光半導体装置

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 31/02 B ,  H01L 31/10 Z