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J-GLOBAL ID：200903045663475893
電子ビーム及び磁界を用いてイオン化金属プラズマを生成する方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998056955
Publication number (International publication number)：1998259477
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】プラズマをチャンバ内に発生して層をスパッタ堆積するための改良された方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明の堆積装置は、少なくとも1つの電子銃を備えている。エネルギが付与された電子は、スパッタターゲット材料原子と衝突し、それによってターゲット材料原子をイオン化してエネルギーを失う。電子は、ターゲットを基板に接続する半導体製造チャンバの中心軸及び基板に平行に、チャンバシールド壁にほぼ接線方向に送られる。送られた電子がターゲット材料原子をイオン化するエネルギーを失うと、電子は、中心軸を囲む半導体製造チャンバの中央領域内方に螺旋状に進み、電子雲を中央領域内に形成する。所定配列の電磁石がチャンバシールド壁に隣接して配置され、これによって電子がチャンバシールド壁と衝突しない。
Claim (excerpt)：
基板上に材料をスパッタするために半導体製造装置内部のプラズマにエネルギを付与する装置であって、ターゲット及び前記ターゲットに隣接したプラズマ発生領域を有する半導体製造チャンバと、前記半導体製造チャンバ内部に所定形状の磁界を発生するように前記半導体製造チャンバに隣接して配置された所定配列の磁石と、エネルギが付与された電子を前記半導体製造チャンバに放出して、前記スパッタされた材料をイオン化するように配置された少なくとも1つの電子源とを備え、前記半導体製造チャンバ内部の前記形状の磁界が前記半導体製造チャンバ内部に前記電子を閉じ込めるようになっている装置。
IPC (3)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H05H 1/46
C23C 14/34 P
, H01L 21/203 S
, H05H 1/46 A
