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J-GLOBAL ID：200903045676587615

半導体素子製造装置

Inventor： 池川 正人
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993123768
Publication number (International publication number)：1994333845
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【構成】処理室に流すガスを成膜用,レジスト形成用,エッチング用,レジストアッシング用と切り替え、すべてプラズマ処理で基板上に半導体素子を製造させるようにした。【効果】すべてプラズマで処理することにより一つの処理室でウエハを移動させないで半導体素子を製造することができる。このため、ウエハへの汚染が少なくなり、半導体素子の製造不良が低減される。

Claim (excerpt)：

基板を挿入した処理室と,プラズマ生成装置と,ガス供給装置と,ガス排気装置と,半導体製造に必要なガスを切り替える機構とからなることを特徴とする半導体素子製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302