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J-GLOBAL ID:200903045678477086

多層化酸化物半導体薄膜、光電変換素子および太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003372669
Publication number (International publication number):2004172110
Application date: Oct. 31, 2003
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】 簡便且つより安価な手法により半導体微粒子薄膜の製造とかかる薄膜を用いることにより高い光電変換効率を有する光電変換素子ならびこの光電変換素子からなる光化学電池を提供する。【解決手段】 光の透過性能の異なる多孔質酸化物が多層積層してなる多層化酸化物半導体薄膜、各層が異なる孔サイズを有する多孔質酸化物が多層積層してなる多層化酸化物半導体薄膜、光電変換素子および太陽電池。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
光の透過性能の異なる多孔質酸化物が多層積層してなる多層化酸化物半導体薄膜。
IPC (2):
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (14):
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051DA16 ,  5F051DA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 特開平1-220380号公報
  • 光電変換素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-019585   Applicant:シャープ株式会社
Cited by examiner (4)
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