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J-GLOBAL ID：200903045682684703

半導体装置の製造方法

Inventor： 三浦 賢次 ,  中島 蕃 ,  田辺 泰之 ,  吉野 秀男
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992124414
Publication number (International publication number)：1993326549
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】ソース・ドレイン領域の浅接合化による短ゲート化と非オフセット化による高電流駆動力ができる半導体装置の製造方法を得る。【構成】ゲート電極3の側壁に絶縁膜4を形成し、高注入量イオンを垂直注入し中注入量イオンを斜め注入したのちにアニールを行い、高濃度ソース・ドレイン領域5とゲート電極3との端がほぼ等しくなるように活性化する。

Claim (excerpt)：

MOSFETのソース・ドレインを形成する半導体装置の製造方法において、ゲート電極の側壁に所定の幅の絶縁膜を形成し、つぎに上記ゲート電極端下の半導体基板表面に高注入量のイオンをほぼ垂直に注入したのち、中注入量のイオンを上記ゲート電極下方向に斜め注入するか、または上記各イオン注入を逆の順序で行ったのち、所定の温度と時間とによるアニールを行い、高濃度ソース・ドレイン領域端がほぼゲート電極端になるように、活性化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F