珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002047351
Publication number (International publication number)：2002348332
Application date： Feb. 25, 2002
Publication date： Dec. 04, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】式(1)及び/又は式(2)で表される繰り返し単位を含む珪素含有高分子化合物。【化1】(R1、R2、R3は水素原子、又はアルキル基、R4、R5、R6はアルキル基、ハロアルキル基、又は珪素含有基、R7は酸素原子、アルキレン基、又はアリーレン基である。R8〜R10はアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又はアリール基である。nは2〜10の整数である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。

Claim (excerpt)：

一般式(1)及び/又は一般式(2)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、R4、R5、R6は同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基、ハロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は式中の珪素原子とシロキサン結合もしくはシルアルキレンで結合している珪素含有基である。)【化2】(式中、R7は酸素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基である。R8〜R10は同一又は異種の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又はアリール基である。nは2〜10の整数である。R1〜R3は上記の通りである。)

IPC (6)：

C08F230/08 , C08F220/20 , C08F222/00 , C08F228/06 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (7)：

C08F230/08 , C08F220/20 , C08F222/00 , C08F228/06 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 573

F-Term (38)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA10 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB34 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AC01R , 4J100AC26R , 4J100AJ08R , 4J100AK32Q , 4J100AL08S , 4J100AM43P , 4J100AN02R , 4J100AP16P , 4J100AR31Q , 4J100BA40R , 4J100BA72P , 4J100BA75P , 4J100BA81P , 4J100BC08S , 4J100BC09S , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38 , 5F046NA01 , 5F046NA17 , 5F046NA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-238041
特開平1-110513
薄膜形成ポリマ-
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-117012 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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