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J-GLOBAL ID：200903045706816290

熱分析センサとこれを用いた熱分析装置

Inventor：
木村 光照

About 木村 光照


Applicant, Patent owner：
木村 光照

About 木村 光照


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005041429
Publication number (International publication number)：2006226850
Application date： Feb. 17, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：
【課題】基板から熱分離した熱容量が極めて小さな薄膜に温度センサと試料ホルダを形成して、消費電力が小さく、高速応答の外部からの加熱手段で、少なくとも試料ホルダを均一な温度分布にする熱分析センサを実現し、これを用いた熱分析装置を提供する。【解決手段】SOI層などをカンチレバ状に形成した薄膜の先端部を試料ホルダとして利用し、この領域に薄膜温度センサを形成する。このSOI層のカンチレバの上側と下側に空隙を介して薄膜を挟むダイアフラムに加熱手段としての薄膜ヒータを形成するか、または薄膜を囲む薄膜ヒータを形成して試料ホルダを一様に加熱できるように加熱手段を有する熱分析センサを構成する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板(1)から第1の空洞(3)を介して熱分離した薄膜(2)に、少なくとも1個の薄膜温度センサ(5)と試料ホルダ(6)とを備え、薄膜(2)のうちの少なくとも試料ホルダ(6)を略一様に昇温させる加熱手段を有し、該加熱手段は空隙(30)を介して試料ホルダ(6)を囲む構造であり、試料ホルダ(6)に導入した試料の熱反応に基づく温度変化を前記薄膜温度センサ(5)で検出するようにしたことを特徴とする熱分析センサ。
IPC (1)：
G01N 25/20
FI (1)：
G01N25/20 D
F-Term (14)：
2G040AA03 ,  2G040AB12 ,  2G040AB14 ,  2G040BA24 ,  2G040BB09 ,  2G040CA02 ,  2G040CB03 ,  2G040DA03 ,  2G040DA12 ,  2G040EA02 ,  2G040EB02 ,  2G040EC08 ,  2G040EC09 ,  2G040FA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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