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J-GLOBAL ID：200903045711370233

半導体発光素子

Inventor： 竹岡 忠士 ,  松井 完益
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995255182
Publication number (International publication number)：1997097948
Application date： Oct. 02, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】 AlGaInP系半導体発光素子において、電子のオーバーフローを制御すると共に、高出力動作時・高温動作時にも高い信頼性を得る。【解決手段】 GaInPまたはAlGaInPからなる活性層41を間に挟んで、n型AlGaInPクラッド層12およびp型AlGaInPクラッド層14、16が積層されている。活性層41とn型クラッド層12との間、および活性層41とp型クラッド層14との間には、光ガイド層43、42が設けられている。p型クラッド層14、16にはBeがドーピングされ、さらに、活性層41、p型クラッド層14、16および光ガイド層43、42にはSiがドーピングされている。

Claim (excerpt)：

GaInPまたはAlGaInPからなる活性層を間に挟んで、該活性層よりもバンドギャップが大きいp型AlGaInPクラッド層およびn型AlGaInPクラッド層が積層されたダブルヘテロ接合構造を有する半導体発光素子であって、該p型クラッド層のドーパントがBeであり、該p型クラッド層および該活性層にSiがドーピングされている半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 B