半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004169725
Publication number (International publication number)：2005353651
Application date： Jun. 08, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】簡便な方法で、発光効率の低下を引き起こさずに発光強度の強い所望の色合いの発光、特に赤色を含む発光や白色の発光を実現する半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光素子10は、サファイア基板11と、GaNからなる下地層12と、GaNからなるn型コンタクト層13と、n型のAl0.15Ga0.85Nからなるn型クラッド層14と、In0.15Ga0.85N井戸層とGaN障壁層とが交互に3周期積層された量子井戸構造からなるEuがドープされた発光層15と、p型Al0.15Ga0.85Nからなるp型クラッド層16と、p型のGaNからなるp型コンタクト層17とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

発光層を含む複数の半導体層を備えた半導体発光素子であって、前記発光層の少なくとも一部に希土類元素が添加されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (7)：

5F041AA14 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA71 , 5F041CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-117489 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-258014 Applicant：ソニー株式会社

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