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J-GLOBAL ID：200903045730427742

プログラマブルリードオンリメモリ

Inventor： 江守 孝之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 田辺 恵基
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991360453
Publication number (International publication number)：1993182480
Application date： Dec. 28, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明はプログラマブルリードオンリメモリにおいてセルの不揃いな消去を改善するものである。【構成】セルの一括消去処理に続いて各セルについて個別に書込み処理をするようにしたことにより、各セルの消去状態を所定の許容範囲内に揃えることができる。

Claim (excerpt)：

フローテイングゲート及びコントロールゲートをもつMOSトランジスタを有する複数のセルを一括して書込み処理をした後、一括して消去処理をするプログラマブルリードオンリメモリにおいて、上記一括消去処理の後上記各セルごとに個別に書込み処理をすることにより、上記各セルが所定の範囲のしきい値電圧に対応する情報を保持するような消去状態に当該各セルを補正することを特徴とするプログラマブルリードオンリメモリ。