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J-GLOBAL ID：200903045736245158

パワー半導体装置及びその製造方法

Inventor： 松田 定 ,  長谷川 武敏 ,  武藤 浩隆
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998109970
Publication number (International publication number)：1999307696
Application date： Apr. 20, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 絶縁耐圧が低いという課題があった。【解決手段】 半導体チップ2と、半導体チップで発生する熱を放熱するための金属ベース板3と、半導体チップ2を金属ベース板3から絶縁するためのセラミック板4と、セラミック板4の上面に設けられた第1の金属電極5aと、セラミック板4の下面に設けられた第2の金属電極5bと、金属ベース板3とセラミック板4との間隔を広げるための金属スペーサ7と、半導体チップ2、金属ベース板3、セラミック板4、第1の金属電極5a、第2の金属電極5b及び金属スペーサ7を封止するシリコンゲル11とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体チップと、上記半導体チップで発生する熱を放熱するためのベース板と、上記半導体チップを上記ベース板から絶縁するための絶縁板と、上記絶縁板の上面に設けられた第1の電極と、上記絶縁板の下面に設けられた第2の電極と、上記ベース板と上記絶縁板との間隔を広げるためのスペーサと、上記半導体チップ、上記ベース板、上記絶縁板、上記第1の電極、上記第2の電極及びスペーサを封止する絶縁封止材とを備えたパワー半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3)：

H01L 23/36 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-033277   Applicant：富士電機株式会社