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J-GLOBAL ID：200903045742507601

半導体レーザ素子

Inventor： 須山 尚宏 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  細羽 弘之 ,  大林 健 ,  近藤 雅文 ,  兼岩 進治 ,  幡 俊雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996003913
Publication number (International publication number)：1996228043
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 自励発振動作をさせ、戻り光に対して動作が安定となり、低雑音レーザとしてしようすることを可能とする。【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層がこの順で形成され、該第2クラッド層上に、突出したストライプ状の第3クラッド層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記第1、第2、もしくは第3クラッド層内部領域、又はそれらの境界領域の少なくとも1つに、実質的なバンドギャップが活性層と略等しい複数の量子井戸層と、該量子井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層とが交互に形成された量子井戸構造体を形成してなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層がこの順で形成され、該第2クラッド層上に、突出したストライプ状の第3クラッド層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記第1、第2、もしくは第3クラッド層内部領域、又はそれらの境界領域の少なくとも1つに、実質的なバンドギャップが活性層と略等しい複数の量子井戸層と、該量子井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層とが交互に形成された量子井戸構造体が形成されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。