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J-GLOBAL ID:200903045783969946
プラズマ処理反応器内の導電性の面を保護するための方法及び装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994008690
Publication number (International publication number):1994298596
Application date: Jan. 28, 1994
Publication date: Oct. 25, 1994
Summary:
【要約】【目的】 チャンバハウジングの表面上の堆積物の形成を防止することを目的とする。【構成】 内部で、基板ホルダ216上に保持された基板215に隣接して、処理プラズマが発生する処理チャンバであって、自立型の電気絶縁性のライナー220〜223が、処理プラズマに面する処理チャンバの金属壁212に隣接して配置されていることを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
内部で、基板ホルダ上に保持された基板に隣接して、処理プラズマが発生される処理チャンバにおいて、自立型の(free-standing )電気絶縁性のライナー(liner )が、前記処理プラズマに面する前記処理チャンバの金属壁に隣接して配置されていることを特徴とする処理チャンバ。
IPC (4):
C30B 25/08
, B01J 19/08
, H01L 21/302
, H01L 21/31
Patent cited by the Patent: