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J-GLOBAL ID：200903045788062221
半導体レーザモジユール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991187921
Publication number (International publication number)：1993037083
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザモジュールの変調帯域を大幅に改善すること。【構成】 半導体レーザ1と、光ファイバ6と、前記半導体レーザから出射された光を前記光ファイバに結合する結合手段3と、外部回路との接続のための配線パターンを上面に設けた誘電体ブロックを備えた気密パッケージとを有している。気密パッケージに少なくとも半導体レーザと半導体レーザ駆動用バイアス回路を内蔵されている。そして、誘電体ブロックの少なくともバイアス回路と結ぶ配線パターンに対応する金属膜を除去する。これによって変調特性が改善できる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザと、光ファイバと、前記半導体レーザから出射された光を前記光ファイバに結合する結合手段と、外部回路との接続のための配線パターンを上面に設けた誘電体ブロックを備えた気密パッケージとを有し、該気密パッケージに少なくとも前記半導体レーザと半導体レーザ駆動用バイアス回路を内蔵した半導体レーザモジュールにおいて、前記誘電体ブロックの配線パターンに対応して前記誘電体ブロックの下面に形成された金属膜が除去されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2)：
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