ポジ型レジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002122269
Publication number (International publication number)：2003316005
Application date： Apr. 24, 2002
Publication date： Nov. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】 160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、レジスト膜に露光した際のアウトガス量が抑制され、且つサイドローブ光耐性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、特定の化合物、(B)特定の繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(C)溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式(IIA)又は(IIIA)で表される化合物、(B)下記一般式(I)〜(VI)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(C)溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(IIA)〜(IIIA)中、R1a 〜R27aは、各々独立に、水素原子、直鎖、分岐若しくは環状アルキル基、直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、又は-S-R38a基を表す。ここでR38aは、直鎖、分岐若しくは環状アルキル基又はアリール基を表す。X-は、アニオンを表す。但し、R1a〜R15aの内の少なくとも1つ及びR16a〜R27aの内の少なくとも1つは、水素原子ではない。【化2】【化3】【化4】一般式(I)及び(II)に於いて、mは、0又は1を表す。一般式(I)及び(IV)〜(VI)に於いて、Xは、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。一般式(I)に於いて、R11〜R16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、少なくとも一つは水素原子ではない。一般式(II)に於いて、R3は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。一般式(III)に於いて、R4は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。一般式(IV)に於いて、R21〜R32は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、少なくとも一つは水素原子ではない。一般式(V)及び(VI)に於いて、R1及びR2は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。R41〜R46及びR51〜R56は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、R41〜R46のうちの少なくとも一つ及びR51〜R56のうちの少なくとも1つは水素原子ではない。nは、1〜5の整数を表す。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 , C08F 20/30 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 601 , C08F 20/30 , G03F 7/004 503 A , H01L 21/30 502 R

F-Term (29)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB13 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AR21Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA20Q , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BC43P , 4J100CA03 , 4J100DA61 , 4J100JA37

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