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J-GLOBAL ID：200903045801023621

半導体装置

Inventor： 古川 彰彦 ,  阿部 雄次
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995102119
Publication number (International publication number)：1996298319
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、チャネル領域のキャリア濃度がチャネル表面近傍で低く、ソース、ドレイン拡散層の接合深さ位置近傍で高い、低しきい値電圧でかつパンチスルー耐性に強いMOS型電界効果トランジスタの構造を提供する。【構成】 MOS型電界効果トランジスタのチャネル領域の表面近傍領域にイオン注入により窒素原子注入領域を設けた後熱処理を行うことにより、該窒素原子注入領域内のキャリア濃度を低く抑えて形成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電型のシリコン基板上に作製されたMOS型半導体装置において、第2の導電型のドレイン領域及びソース領域にはさまれた第1の導電型のチャネル領域が、窒素原子注入領域を設けたシリコン基板表面にある低濃度チャネル領域と、該低濃度チャネル領域の下部に設けられた高濃度チャネル領域よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 21/265 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-046272
  
• 特開平3-046238
  
• 集積回路トランジスタ構成体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-261918   Applicant：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド