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J-GLOBAL ID：200903045807588752

酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた光起電力素子及び半導体素子基板の製造方法

Inventor： 中村 哲郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997186147
Publication number (International publication number)：1999029896
Application date： Jul. 11, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性に優れた形成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液202に浸漬された導電性基体203と、水溶液202中に浸漬されたメッシュ状又は棒状の対向電極204との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を導電性基体203上に形成する酸化亜鉛薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬されたメッシュ状又は棒状の対向電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C25D 9/04 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C25D 9/04 ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M