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J-GLOBAL ID：200903045824465710

半導体基材の作製方法

Inventor： 佐藤 信彦 ,  坂口 清文 ,  米原 隆夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038460
Publication number (International publication number)：1993217823
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光透過性基板上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れたSi結晶層を作製する。【構成】 シリコン基板を多孔質化する工程と、多孔質化したシリコン基板1を融点以下の温度で熱処理して、その表面層を非多孔質シリコン単結晶層2にする工程と、非多孔質シリコン単結晶層2を光透過性基板3に貼り合わせる工程と、多孔質化したシリコン基板1部分を化学エッチングにより除去する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板を多孔質化する工程と、該多孔質化したシリコン基板を融点以下の温度で熱処理して該多孔質化したシリコン基板の表面層を非多孔質シリコン単結晶層にする工程と、該非多孔質シリコン単結晶層を光透過性基板に貼り合わせる工程と、該多孔質化したシリコン基板部分を化学エッチングにより除去する工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12