Pat

J-GLOBAL ID：200903045834987880

超伝導体膜の成長方法と成長装置

Inventor： 中尾 宏 ,  井原 賢
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172113
Publication number (International publication number)：1994016496
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 誘電体基板の表裏両面への超伝導体膜の成長方法に関し、誘電体基板表面上に超伝導体膜を成長した後、誘電体基板裏面への超伝導体膜成長時に既成長超伝導体膜の特性が劣化しない超伝導体膜の成長方法と成長装置を提供することである。【構成】 誘電体基板の表面上に第1の超伝導体膜を気相成長させる第1成長工程と、該第1の超伝導体膜と反応しない表面を有するサセプタの表面に第1の超伝導体膜の表面を伏せて支持し、前記誘電体基板裏面上に第2の超伝導体膜を気相成長させる第2の成長工程とを含む。

Claim (excerpt)：

誘電体基板(2)の表面上に第1の超伝導体膜(3)を気相成長させる第1成長工程と、該第1の超伝導体膜(3)と反応しない表面を有するサセプタ(5)の表面に第1の超伝導体膜(3)の表面を伏せて支持し、前記誘電体基板(2)裏面上に第2の超伝導体膜(1)を気相成長させる第2の成長工程とを含む超伝導体膜の成長方法。

IPC (6)：

C30B 25/02 ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00 ZAA