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J-GLOBAL ID：200903045855034653

高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置

Inventor： 花崎 稔 ,  楠見 嘉宏 ,  難波 敬典 ,  藤原 伸夫 ,  奥平 智仁 ,  伊藤 博巳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992302703
Publication number (International publication number)：1994151383
Application date： Nov. 12, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高誘電率を有する多元系酸化物膜や、高融点金属含有膜のエッチング方法として有機系レジスト膜を使用し、そのマスクとの選択性の高い方法また、上記エッチング後の被処理膜の表面の劣化を回復させる後処理方法、さらに上記エッチング方法を用いた薄膜キャパシタ素子の製造方法、上記エッチング方法と後処理方法に適したエッチング装置を提供する。【構成】 揮発性有機金属を生成する有機ガスをエッチングガスとして用いて高誘電率を有する多元系酸化物膜や、高融点金属含有膜をエッチングする。エッチングガスとして炭化水素系ガス、アルコキシル基を生成するガス、あるいはそれらの還元性ガスとハロゲン系ガス等との混合ガスが用いられる。多元系酸化物膜のエッチング工程の終了後にその膜の表面を酸素等のガスで後処理を行なう。上記のエッチング方法を用いて薄膜キャパシタが製造される。

Claim (excerpt)：

揮発性有機金属を生成する有機ガスをエッチングガスとして用いて高誘電率を有する多元系酸化物膜をエッチングする方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108