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J-GLOBAL ID：200903045855288710

金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置

Inventor： 伊藤 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237054
Publication number (International publication number)：1995094425
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【構成】単一の原料ガスを流すための、少なくとも2つ以上のガスの吹き出し口8.11を具備した真空槽1内に基板7を載置し、所望の基板温度に基板7を加熱した後、各々の原料ガスを供給するタイミングを制御して、一時には単一の原料ガスしか基板7に供給しないようにして各原料ガスを真空槽1内に導入し、基板7の表面に供給して、薄膜を形成する。【効果】基板表面に吸着した原料ガスを完全に表面反応で消費してから次の原料ガスを供給するというシーケンスを繰り返して薄膜を形成するために、不純物の取り込みの少ない良質な薄膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

金属原子を含む化合物ガスと該金属原子を還元する還元ガスとを基板が載置された反応容器に供給して、化学的気相成長法で基板上に前記金属原子からなる金属薄膜を形成する方法であって、前記化合物ガスを供給と停止とを交互に繰り返して断続的に供給するとともに、前記化合物ガスの停止時に前記還元ガスを供給することを特徴とする金属薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28