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J-GLOBAL ID：200903045868456506

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 須田 康夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002072356
Publication number (International publication number)：2002368235
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ダイシング時にレンズの面形状が変化することなく効率よく撮像モジュールなどの半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】 受光素子が形成された第1の基板と、前記受光素子へ光を集める光学素子或いは光学素子集合体である第2の基板とをスペーサを介して貼り合わせた半導体装置において、前記スペーサは、前記第2の基板の切断後の端部に配されている。製造方法は、第1の基板と第2の基板とをスペーサを介して貼り合わせる工程と、前記第1及び第2の基板を前記スペーサが配された領域で切断する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

受光素子が形成された第1の基板と、前記受光素子へ光を集める光学素子或いは光学素子集合体である第2の基板とをスペーサを介して貼り合わせた半導体装置において、前記スペーサは、前記第2の基板の切断後の端部に配されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/0232 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 31/02 D ,  H01L 27/14 D

F-Term (14)：

4M118AB01 ,  4M118GB01 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118HA02 ,  4M118HA23 ,  5F088AA01 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB17 ,  5F088EA04 ,  5F088GA04 ,  5F088JA12