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J-GLOBAL ID：200903045876200170

半導体装置

Inventor： 菅原 彰 ,  上原 由起子 ,  小沼 利光 ,  西 毅 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994270561
Publication number (International publication number)：1995283416
Application date： Oct. 07, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタに接続された電極に対し酸化膜を形成するために陽極酸化工程を行なう場合の、酸による溶解によって発生する基板裏面の腐食を防止する構成を提供する。【構成】 基板の薄膜トランジスタを有する面および他方の面に絶縁膜からなる保護膜を設ける。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜トランジスタと、前記基板の薄膜トランジスタが設けられている面および他方の面に絶縁膜からなる保護膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体集積回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-275396   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-203322
  
• 特開平1-183854