Pat

J-GLOBAL ID：200903045877453315

半導体装置の作製方法

Inventor： 竹村 保彦 ,  安達 広樹
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999004755
Publication number (International publication number)：1999297623
Application date： Aug. 20, 1993
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置の新規な作製方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜を結晶化させる工程と、前記結晶化された非単結晶半導体膜の一部を加圧雰囲気で酸化させる工程と、を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜を結晶化させる工程と、前記結晶化された非単結晶半導体膜の一部を加圧雰囲気で酸化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/762 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-208124
  
• 特開平2-140915