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J-GLOBAL ID：200903045877466956

オプトエレクトロニクス変換器

Inventor： ウエルナー シユペート ,  ウオルフガング グラマン ,  ゲオルク ボーグナー ,  ラルフ デイートリツヒ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996073218
Publication number (International publication number)：1996264843
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】 オプトエレクトロニクス変換器は基板1上に取り付けられているビームを発信あるいは受信する半導体デバイス6を有し、基板1上にレンズ装置8を支持するスペーサ7が配置されている。このオプトエレクトロニクス変換器を、温度変化が半導体デバイス6とレンズ装置8との間の調節にほとんど影響を与えないようにする。【解決手段】 基板1、スペーサ7およびレンズ装置8が、熱膨張係数がほぼ同じである材料例えばシリコンおよびガラスから成っている。多数の変換器が複合体として同時に製造され、それから個々の変換器に細分化される。

Claim (excerpt)：

ビームを発信あるいは受信する半導体デバイス(6)が取り付けられている基板(1)と、半導体デバイスに光学的に整列されたレンズ装置(8)に対する基板に結合されたスペーサ(7)とを有するオプトエレクトロニクス変換器において、基板(1)、スペーサ(7)およびレンズ装置(8)が熱膨張係数が少なくとも近似している材料から成っていることを特徴とするオプトエレクトロニクス変換器。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/0232

FI (3)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 M ,  H01L 31/02 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 画像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-221275   Applicant：京セラ株式会社