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J-GLOBAL ID：200903045888836917

電磁放射検出器、該検出器を用いた高感度ピクセル構造、及び該検出器の製造方法

Inventor：
バール・ディエリック

About バール・ディエリック


Applicant, Patent owner：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

About アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998067575
Publication number (International publication number)：1999031839
Application date： Feb. 09, 1998
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体中で放射により形成された電荷キャリアのすべてがコレクティング接合又は領域中に集められ、読み出し回路の接合又は領域には集められない電磁放射検知用の半導体デバイスを提供する。【解決手段】 半導体中の放射検知体積と、読み出し回路を備えた領域又は接合との間に、小さいが有効なバリアを備え、半導体基板と、該半導体基板への放射により生成された電荷キャリアを集めるために設けられた領域又は接合との間に、バリアを備えないか、又は低いバリアを備える。
Claim (excerpt)：
半導体基板を含む電磁放射用検出器であって、上記基板が、第1の領域と、第2の領域とを含み、上記第1の領域及び第2の領域が、上記放射により基板中で形成された電荷キャリアを集めるために設けられ、更に、上記基板が、上記電荷キャリアが上記第2の領域に拡散するのを十分に妨げるバリアを形成する第3の領域とを含みことを特徴とする電磁放射検出器。
IPC (3)：
H01L 31/09 ,  G01R 29/08 ,  H01L 27/14
FI (3)：
H01L 31/00 A ,  G01R 29/08 F ,  H01L 27/14 K
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭59-092562
  • 固体撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-079288   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭64-020654
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