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J-GLOBAL ID：200903045897395907
液晶表示素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992178128
Publication number (International publication number)：1994018906
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 4辺に端子パターンのある液晶表示素子の製造工程において、液晶材注入時の注入装置空間効率の向上と、液晶材使用量の低減をはかる。【構成】 端子パターン15d上に、TFT基板11の板面端まで延びるポリイミド膜19を形成し、ポリイミド膜19上に、シール壁13の開口部132からTFT基板11の板面端まで延びる開口部用シール14を形成して連通路を成し、この連通路を経由してシール壁13の囲い内部に液晶材17を注入し、共通電極基板12のうち、シール壁13の開口部132よりTFT基板11の板面端側上に形成された部分を切断除去する。
Claim (excerpt)：
TFT基板の板面端まで延びる端子パターンと、囲い状に延び、開口部を備えるシール壁とを該TFT基板上に形成し、前記シール壁上に共通電極基板を形成し、前記TFT基板、前記シール壁および前記共通電極基板により規定される囲い内部を減圧して前記開口部から液晶材を注入し、前記開口部に紫外線硬化樹脂を充填硬化する液晶表示素子の製造方法において、前記端子パターン上に、前記板面端まで延びるポリイミド膜を形成する工程と、前記ポリイミド膜上に、前記開口部から前記板面端まで延びる開口部用シールを形成して連通路を成す工程と、前記連通路を経由して前記囲い内部に前記液晶材を注入する工程と、前記共通電極基板のうち、前記開口部より前記板面端側上に形成された部分を切断除去する工程とを有することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
IPC (3)：
G02F 1/1341
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1345
