半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994322683
Publication number (International publication number)：1996181221
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】集積度を犠牲にすることなくMOSトランジスタの基板電位を供給することが出来、かつ簡素化された工程で製造することが可能な半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】半導体基板の主面に選択的に設けられたフィ-ルド絶縁膜5により区画されたトランジスタ形成領域に形成されたソース領域3A,4Aおよびドレイン領域3B,4Bを有したMOSトランジスタを具備し、MOSトランジスタの基板電位を半導体基板の主面側から印加する半導体集積回路装置において、ソース領域3A,4Aとフィ-ルド絶縁膜5との境界の部分にソース領域3A,4Aより深いコンタクト孔9Aを形成し、このコンタクト孔9Aを充填する導電体13を通して電源電位をソ-ス領域3A,4A下の基板部分2,1Aに基板電位として供給するとともにソース領域3A,4Aにソース電位として供給する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面に選択的に設けられたフィ-ルド絶縁膜により区画されたトランジスタ形成領域に形成されたソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有した絶縁ゲート電界効果トランジスタを具備し、前記絶縁ゲート電界効果トランジスタの基板電位を前記半導体基板の主面側から印加する半導体集積回路装置において、前記ソース領域と前記フィ-ルド絶縁膜との境界の部分に前記ソース領域より深いコンタクト孔を形成し、前記コンタクト孔を充填する導電体を通して電源電位を前記ソ-ス領域下の基板部分に前記基板電位として供給するとともに前記ソース領域にソース電位として供給する構造となっていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/08 321 B , H01L 27/04 D , H01L 27/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-256356
特開平2-228071
特開平4-092417

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