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J-GLOBAL ID:200903045908196456
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩野 平 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997082854
Publication number (International publication number):1998326013
Application date: Apr. 01, 1997
Publication date: Dec. 08, 1998
Summary:
【要約】【課題】 特に170nm〜220nmという波長領域の遠紫外線に対して十分好適であり、かつ光に対して高感度で、得られるレジストパターンプロファイルが優れ、且つ経時保存安定性が優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。【解決手段】 特定の酸分解性基を有する単量体と分子内にアミン構造を有する単量体を繰り返し構造単位として含有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂と、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt):
下記一般式〔I〕で表される単量体と分子内にアミン構造を有する単量体を繰り返し構造単位として含有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂と、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】(式中、R1 は水素原子又はメチル基を表す。R2 はアルキル基、環状アルキル基、又は置換アルキル基を表す。R3 、R4 は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又はアルキル基を表すが、R3 とR4 のうち少なくとも1つは水素原子である。R2 とR3 あるいはR4 とが結合して環を形成してもよい。Aは、単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基の中から選ばれる1つの基もしくはそれら2つ以上を組み合わせた基を表す。)
IPC (2):
G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (2):
G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-334643
Applicant:日本電気株式会社
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ポジ型フォトレジスト
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-179554
Applicant:チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト
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