Pat

J-GLOBAL ID：200903045933031755

光半導体装置

Inventor： 平山 雄三 ,  波多腰 玄一 ,  鈴木 信夫 ,  山本 雅裕 ,  ジョン・レニー
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994323250
Publication number (International publication number)：1996179387
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】光通信技術に十分対応できる高速応答の光スイッチを提供すること。【構成】GaN井戸層13とAlN障壁層とからなる量子井戸構造を有する光スイッチであって、GaN井戸層13のバンド端エネルギーEedgeが、GaN井戸層13のサブバンド間隔の相当する動作波長のエネルギーEOPの2倍よりも大きいことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1の半導体層と、この第1の半導体層とのバンドの位置が異なる第2の半導体層とからなる量子井戸、量子細線および量子箱の少なくとも1つを有する光半導体装置であって、前記第1の半導体層の伝導帯および価電子帯の少なくとも一方は、2つ以上のサブバンドを有し、前記第1の半導体層のバンド端エネルギーは、前記第1の半導体層のサブバンド間隔に相当する動作波長のエネルギーの2倍よりも大きく、かつ前記サブバンド間隔に相当する動作波長のエネルギーが0.75eV以上であることを特徴とする光半導体装置。

IPC (5)：

G02F 1/35 ,  H01L 29/80 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 非線形光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203497   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション