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J-GLOBAL ID：200903045933043443

多孔質半導体デバイスとその製造方法

Inventor： 本田 徹 ,  河合 千尋
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純 ,  小松 秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003187081
Publication number (International publication number)：2005026275
Application date： Jun. 30, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

【課題】細菌や有機物分解を極めて効率よく行うことができるろ過フィルタを提供する。特に発光強度、発光効率が高く、半導体間のピッチよりも小さな粒子が捕捉できる発光する機能を有するろ過フィルタを提供する。【解決手段】連通孔を有する多孔質基材の一面上に形成された半導体ウィスカー、上部電極、及び該多孔質基材の上部電極が形成された面の他の面に形成された下部電極からなる多孔質半導体デバイスであって、該半導体ウィスカーの隙間及び表面に絶縁性粒子からなる多孔質相が充填されデバイス全体が多孔質構造を有し、上部電極は絶縁性粒子とのみ接触し、エレクトロルミネッセンスによる発光機能を有することを特徴とする多孔質半導体デバイス、及び該半導体デバイスを用いたろ過フィルタ。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

連通孔を有する多孔質基材の一面上に形成された半導体ウィスカー、上部電極、及び該多孔質基材の上部電極が形成された面の他の面に形成された下部電極からなる多孔質半導体デバイスであって、該半導体ウィスカーの隙間及び表面に絶縁性粒子からなる多孔質相が充填されデバイス全体が多孔質構造を有し、上部電極は絶縁性粒子とのみ接触し、エレクトロルミネッセンスによる発光機能を有することを特徴とする多孔質半導体デバイス。

IPC (7)：

H01L33/00 ,  B01D39/14 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

FI (7)：

H01L33/00 A ,  B01D39/14 Z ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z

F-Term (27)：

3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007BA00 ,  3K007CA02 ,  3K007CC00 ,  3K007DB00 ,  3K007EA00 ,  3K007EC00 ,  3K007FA00 ,  4D019AA01 ,  4D019AA03 ,  4D019BA05 ,  4D019BC06 ,  4D019BC20 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041BB13 ,  5F041CA03 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA91 ,  5F041CB36 ,  5F041FF16