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J-GLOBAL ID：200903045954026468

ドライエッチング方法および半導体素子

Inventor： 山田 篤志 ,  菅原 岳 ,  横川 俊哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002026279
Publication number (International publication number)：2003229412
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 精度の良い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチングを行うために、窒化ガリウム系化合物半導体のエッチングストップ層の開発が切望されている。【解決手段】 窒化物半導体においてAlを含む層、すなわちAlxGayIn1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体においてAlを含む層、すなわちAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行うことを特徴とする窒化物半導体のドライエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/80 H

F-Term (40)：

5F004AA01 ,  5F004BD05 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15