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J-GLOBAL ID:200903045955129201

光電子集積回路および光情報伝送システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995147887
Publication number (International publication number):1997008260
Application date: Jun. 14, 1995
Publication date: Jan. 10, 1997
Summary:
【要約】【目的】 小型で消費電力が少なく、安定した出力が得られる光電子集積回路、及び、高速に光情報伝送を行うことができる光情報伝送システムを提供する。【構成】 本発明に係る光電子集積回路は、半導体基板100上に、複数の受光素子PDij、複数の受光素子の内の何れかの受光素子を指定する受光素子選択部120と121、及び、指定された受光素子に到達した光信号に応じた電気信号を出力する出力バッファ130が形成され、外部から入力するアドレス信号200に応じて受光素子選択部により指定された受光素子からの信号240を出力する。本発明に係る光情報伝送システムは、複数の光接続ノードと、1つの光接続ノードの光情報送信部から他の1つの光接続ノードの光情報受信部へ光信号を伝送する専用の光伝送路伝送路が設けられる。この光情報受信部には、本発明の光電子集積回路が好適に用いられる。
Claim (excerpt):
入射する光の光量を前記光量に応じた電気信号に変換する光電変換素子と、受光素子選択信号に応じて前記電気信号を出力制御するスイッチ素子と、をそれぞれ備える複数の受光素子と、アドレス信号を入力し、前記アドレス信号に応じて前記複数の受光素子の内の何れかの受光素子を指示する前記受光素子選択信号を出力する受光素子選択部と、前記受光素子選択信号によって指示された前記受光素子から出力される前記電気信号を入力して、前記電気信号に応じた出力信号を出力する出力部と、を備えて、半導体基板上にモノリシックに形成されることを特徴とする光電子集積回路。
IPC (5):
H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H03K 17/78 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02
FI (5):
H01L 27/14 Z ,  H01L 27/15 C ,  H03K 17/78 M ,  H01L 27/14 J ,  H04B 9/00 W

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