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J-GLOBAL ID：200903045968164278
読み出し専用記憶装置とその駆動方法およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079907
Publication number (International publication number)：1994181296
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高速読み出しが可能であり、製品のターン・アラウンド・タイムの短い読み出し専用記憶装置とその駆動方法およびその製造方法を提供する。【構成】 メモリーセルを構成する各MOS型電界効果トランジスタのチャンネル長を、各MOS型電界効果トランジスタにパンチスルー現象を生じさせる長さまたはパンチスルー現象を生じさせない長さの2種類に形成する。また、チャンネル不純物濃度は、各MOS型電界効果トランジスタをディプレッション型にする濃度またはエンハンスメント型にする濃度の2種類に形成する。この読み出し専用記憶装置は、各MOSFETのゲート電極およびドレイン電極に与えられる信号により、2種類の4値の情報を独立的に読み出すことができる。出力信号レベルは’1’または’0’の2値になるので、出力信号が判定可能なレベルに安定するまでの時間を短くすることができ、読み出し時間の高速化を図ることができる。
Claim (excerpt)：
メモリーセルを構成する複数のMOS型電界効果トランジスタが、記憶情報に対応してチャンネル不純物分布および実効チャンネル長を定められ、全MOS型電界効果トランジスタのチャンネル不純物分布が2種類以上に変化させてあり、全MOS型電界効果トランジスタのチャンネル長が2レベル以上に変化させてある読み出し専用記憶装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 27/10 433
, G11C 17/00 305
