Pat

J-GLOBAL ID：200903045968279385

再生半導体ウェハとその再生方法

Inventor： 高田 悟 ,  井上 秀敏 ,  原 宣宏
Applicant, Patent owner： コウベ プレシジョン インク ,  株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 小谷 悦司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996263296
Publication number (International publication number)：1997171981
Application date： Oct. 03, 1996
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 使用済み半導体ウェハを再生するにあたり、ウェハの板厚減少量を最小限にしてウェハを多数回再生することのできる再生方法を提供すると共に、マット面のエッチピットが小さく、従来の再生ウェハと比べて表面粗さが小さい再生半導体ウェハを提供する。【解決手段】 基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法として、砥粒を含有する研磨液を用いると共に、回転するパッドを該半導体ウェハに圧接させて軽度の研磨力を作用させることにより、上記表面層に軽度のマイクロクラックを導入しつつ該表面層を除去する工程と、基板表面を化学的にエッチングする工程を採用する。

Claim (excerpt)：

基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法であって、砥粒を含有する研磨液を用いると共に、回転するパッドを該半導体ウェハに圧接させて軽度の研磨力を作用させることにより、上記表面層に軽度のマイクロクラックを導入しつつ該表面層を除去する工程と、基板表面を化学的にエッチングする工程を有することを特徴とする再生方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/66

FI (4)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/66 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭51-019966