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J-GLOBAL ID：200903045970679544
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994077699
Publication number (International publication number)：1995283135
Application date： Apr. 15, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高移動度薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成されている。この活性領域は、第1の非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を導入して加熱することにより結晶成長させた針状結晶または柱状結晶を種結晶として、第2の非晶質ケイ素膜を結晶成長させた結晶性ケイ素膜からなり、単結晶に非常に近い結晶性を有する。
Claim (excerpt)：
絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成された半導体装置であって、該活性領域は、第1の非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を導入して加熱することにより結晶成長させた針状結晶または柱状結晶を種結晶として、第2の非晶質ケイ素膜を結晶成長させたものからなる半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
