Pat

J-GLOBAL ID：200903045977522381

レジスト組成物とレジストパターンの形成方法

Inventor： 野崎 耕司 ,  徳富 龍介
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991251772
Publication number (International publication number)：1993088367
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レジストパターンの形成方法に関し、電子線を光源として高感度で且つ解像性の優れた高感度のレジストパターンを形成することを目的とする。【構成】 下記の一般式(1)で表されるメタクリル酸テトラヒドロピラニルを単位構造とする重合体またはその共重合体と、露光により酸を発生する発生剤とからなるレジスト組成物を作り、このレジストを被処理基板上に被覆し、電子線を選択露光し、アルカリ現像することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。【化3】

Claim (excerpt)：

下記の一般式(1)で表されるメタクリル酸テトラヒドロピラニルを単位構造とする重合体またはその共重合体と、露光により酸を発生する酸発生剤とからなることを特徴とするレジスト組成物。【化1】

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 501 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027