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J-GLOBAL ID：200903045990490308

太陽電池とその製造方法

Inventor： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994005832
Publication number (International publication number)：1995211927
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 スーパストレート構成の太陽電池における光吸収層を改良して、エネルギー変換効率を向上する。【構成】 窓層上に、I族元素のIII族元素に対する組成比が0.5以下となるI族III族VI族からなる化合物薄膜を堆積し、その上にほぼ化学量論比組成となるカルコパイライト構造半導体薄膜を堆積して光吸収層を形成した太陽電池。

Claim (excerpt)：

窓層上に堆積された、I族元素のIII族元素に対する組成比が0.5以下であるI族III族VI族元素からなる化合物薄膜と、前記化合物薄膜上に堆積された、I族III族VI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜とから形成される光吸収層を具備する太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-369871
  
• 薄膜太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-220809   Applicant：富士電機株式会社