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J-GLOBAL ID：200903045990686725

垂直共振器型面発光レーザ及びその製造方法

Inventor： 知野 豊治 ,  松田 賢一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995019330
Publication number (International publication number)：1996213693
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 p型DBRを通らずにホールを活性層に注入し、低抵抗の垂直共振器型面発光レーザを提供する。【構成】 GaAs基板101上に、p-GaAs層102、p型ブラッグ反射器103、p型クラッド層104、AlGaAs層105、発光活性層106、AlGaAs層107、n型AlGaAsクラッド層108、n型ブラッグ反射器109、n型GaAsキャップ層110を積層している。AlGaAs層105からn-GaAs110まではポスト形状になっており、これをエアポスト113とよぶ。アノード112は、エアポスト近傍のクラッド層104上に形成されており、カソード111はエアポスト上に形成されている。エアポスト113の断面形状は中央部がくびれている。これによりアノード電極112をポスト113の近傍に設けることができ、しきい値電流の小さいレーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

下部ブラッグ反射器と、発光活性層と、上部ブラッグ反射器とを備えた垂直共振器型面発光レーザであって、エアポストの垂直断面がくびれた形状であり、該エアポストの底面は、前記発光活性層と前記下部ブラッグ反射器の間にある垂直共振器型面発光レーザ。