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J-GLOBAL ID：200903046006251035

強誘電性液晶素子の配向処理法

Inventor： 大沼 健次 ,  安慶名 真弓 ,  羽生 由紀夫 ,  小寺 泰人
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991287236
Publication number (International publication number)：1993100228
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 特性のよいユニフォーム配向を安定して製造する。【構成】 2枚の基板間に強誘電性液晶を配した液晶表示素子の配向処理法においてラビングローラ301の移動速度、回転速度および押込み量等のラビング条件を経時的に、例えば基板を処理した枚数に応じて、それぞれ単独あるいは同時に変化させながらラビング処理をする。

Claim (excerpt)：

2枚の基板間に強誘電性液晶を配置した液晶素子の配向制御層をラビング法により形成するための配向処理法おいて、ラビングの条件を経時的に変化させながら複数枚の前記基板を順次配向処理することを特徴とする強誘電性液晶素子の配向処理法。

IPC (3)：

G02F 1/1337 510 ,  G02F 1/133 500 ,  G02F 1/1337 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭64-052123