Pat

J-GLOBAL ID：200903046008783999

エレクトレット素子および静電動作装置

Inventor： 村山 佳樹 ,  松原 直輝
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006293646
Publication number (International publication number)：2008112781
Application date： Oct. 30, 2006
Publication date： May. 15, 2008
Summary：

【課題】高い電荷密度を有する領域をエレクトレット膜に形成することが可能なエレクトレット素子を提供する。【解決手段】このエレクトレット素子10は、電荷を蓄積することが可能なエレクトレット膜2と、エレクトレット膜2の高い電荷密度を有する領域21の上面上に形成され、エレクトレット膜2に蓄積された電荷が流出するのを抑制する電荷流出抑制膜3とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電荷を蓄積することが可能なエレクトレット膜と、 少なくとも前記エレクトレット膜の電荷高密度領域の上面上に形成され、前記エレクトレット膜に蓄積された電荷が流出するのを抑制する電荷流出抑制膜とを備える、エレクトレット素子。

IPC (1)：

H01G 7/02

FI (2)：

H01G7/02 D ,  H01G7/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 静電アクチュエータ用エレクトレットフィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-149026   Applicant：オリンパス株式会社

Cited by examiner (2)

• 静電誘導型変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-178169   Applicant：国立大学法人東京大学
• 静電アクチュエータ用エレクトレットフィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-149026   Applicant：オリンパス株式会社