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J-GLOBAL ID：200903046017503451

半導体装置

Inventor： 桑原 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109506
Publication number (International publication number)：1997298298
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、トレンチゲートを有する電流検出機能付きのIGBTにおいて、素子の温度特性と耐圧特性とを両立でき、かつ、主電流と検出電流とのリニアリティーを改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、主電流セル領域24および電流検出セル領域25の端部に、その外側の側面にソース領域13が形成されていないトレンチゲート18をそれぞれ形成する。こうして、P型ベース領域12の間隔はそのままで、主電流セル領域24と電流検出セル領域25との対向するチャネル面の間隔を拡げることで、寄生抵抗の抵抗値を外部抵抗よりも十分に大きくする。また、電流検出セル領域25でのベース領域12の直下のキャリア分布が主電流セル領域24とほぼ同様になるようにして、両セル領域24,25における動作のアンバランスをなくす構成となっている。

Claim (excerpt)：

複数の主電流セルと少なくとも1つの電流検出セルとを同一基板上に配設してなる、トレンチゲート構造を有する縦型MOS構造の半導体装置において、隣接する前記電流検出セルの端部と前記主電流セルの端部とに、少なくとも外側面にチャネルが形成されないトレンチゲート電極を設けてなることを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 655 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-361571
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-181467   Applicant：株式会社東芝