Pat
J-GLOBAL ID:200903046022376131

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000051135
Publication number (International publication number):2001115027
Application date: Feb. 28, 2000
Publication date: Apr. 24, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、比誘電率特性、機械的強度、基板との密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物に関する。【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルキルアミンの存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルキルアミンの存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (7):
C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C08G 77/50 ,  C08L 83/14 ,  H01L 21/312 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14
FI (7):
C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C08G 77/50 ,  C08L 83/14 ,  H01L 21/312 C ,  C09D183/04 ,  C09D183/14

Return to Previous Page