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J-GLOBAL ID：200903046027947129

部分めつき方法

Inventor： 喜多 利行 ,  佐藤 一也 ,  川岸 重光 ,  奥野 和義
Applicant, Patent owner： 奥野製薬工業株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991262475
Publication number (International publication number)：1993106056
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】従来のレジストインキのもつマスキング性能を損なうことなく、素材に無害であり且つ環境安全性に優れた部分めっき方法を提供する。【構成】無電解めっき工程において、めっきを必要としない部分にポリ-N-メチルアクリルアミド、ポリ-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリ-N-t-ブチルアクリルアミド、ポリ-N-ヒドロキシエチルアクリルアミド及びポリ-N-N-ジメチルアクリルアミドよりなる感温性ポリマーの中から選ばれた少なくとも1種を主成分とするレジストインキの層を予め形成させ、エッチング処理後に該レジストインキ層を除去し、次いで無電解めっき処理を行なうことを特徴とする部分めっき方法。

Claim (excerpt)：

無電解めっき工程において、めっきを必要としない部分にポリ-N-メチルアクリルアミド、ポリ-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリ-N-t-ブチルアクリルアミド、ポリ-N-ヒドロキシエチルアクリルアミド及びポリ-N-N-ジメチルアクリルアミドよりなる感温性ポリマーの中から選ばれた少なくとも1種を主成分とするレジストインキの層を予め形成させ、エッチング処理後に該レジストインキ層を除去し、次いで無電解めっき処理を行なうことを特徴とする部分めっき方法。

IPC (4)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/28 ,  C23C 18/31 ,  H05K 3/18