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J-GLOBAL ID：200903046030650668

半導体装置

Inventor： 内田 清宏 ,  堤 慶介 ,  川上 稔 ,  出田 吾朗
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001245365
Publication number (International publication number)：2003059860
Application date： Aug. 13, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 裏面電極を形成した後、加熱処理を行っても、スクラブが不要で信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】 p型半導体基板から成る基材を有し、その基材の裏面上には複数の金属層から成る裏面電極が形成されて成る半導体装置において、裏面電極を、基材側からこの順で積層された、Al層と、バリアメタル層と、Ni層と、Ag層と、Au層とで構成する。

Claim (excerpt)：

p型半導体基板から成る基材を有し、該基材の裏面上には複数の金属層から成る裏面電極が形成されて成る半導体装置において、前記裏面電極が、前記基材側からこの順で積層された、Al層と、バリアメタル層と、Ni層と、Ag層と、Au層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/52

FI (2)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/52 B

F-Term (15)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104FF02 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG06 ,  4M104GG18 ,  4M104HH05 ,  5F047BA15 ,  5F047BC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-028113   Applicant：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 特開昭52-087360
  
• 特開昭60-110127