Pat

J-GLOBAL ID：200903046031619608

パターン形成方法および半導体装置

Inventor： 森澤 拓 ,  福田 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999362220
Publication number (International publication number)：2001176788
Application date： Dec. 21, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】優れた反射防止効果とレジストに対する高いエッチング選択比を有する反射防止膜を提供する。【解決手段】被加工基板上にSi-N結合、Si-O結合、Si-H結合のいずれかを含む塗布型無機反射防止膜を挿んでレジスト膜を形成し、200nm以下の光を用いて露光することによりレジストパターンを形成し、さらにこれをマスクとして下地基板をエッチングする。

Claim (excerpt)：

無機薄膜を、回転塗布法により被加工基体上に形成する第1の工程、上記無機薄膜上にレジスト膜を形成する第2の工程、放射光を用いて選択的に上記レジスト膜に露光し、現像して上記露光部、または上記露光部以外の膜を選択的に除去し、パターンを形成する第3の工程、上記パターンをマスクとして上記無機薄膜および上記被加工基体をエッチングする第4の工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 Y