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J-GLOBAL ID：200903046040772133
半導体材料における開口及びその製造方法並びにその使用
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡邊 隆 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000570089
Publication number (International publication number)：2002524295
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Aug. 06, 2002
Summary：
【要約】上面(16)及び下面(18)を有する(100)方向シリコンウェハーを用意する段階と;上面(16)を部分的にエッチングすることによって、ウェハー(14)の上面(16)に側壁(22)を有するキャビティ(20)であって、下面(18)に面し、特に凸型、又は特に凹型角あるいはエッジ又はこのタイプの曲率を有する閉鎖底部領域を備えたキャビティ(20)を形成する段階とを含む半導体材料(12)に開口(10)を形成する方法に関する。半導体材料(12)を酸化することによって、キャビティ(20)の領域での半導体材料上に酸化層(26)であって、底部領域(24)で不均質部(28)を備えた酸化層(26)を堆積した後に、底部領域(24)に位置する酸化膜(26)が露出するまで、半導体材料(14)の下面(18)上で半導体材料(12)を選択的にエッチバックする。露出酸化層(26)は、切断されるまでエッチングする。
Claim (excerpt)：
上面(16)と下面(18)とを有する半導体ウェーハ(14)、例えば(100)配向シリコンウェーハを用意するステップと、前記上面(16)の部分的エッチングによって前記半導体ウェーハ(14)の前記上面(16)に、側壁(22)を有するくぼみ(20)を生成するステップとを含む、半導体材料(12)に開口(10)を製造するための方法において、前記くぼみ(20)が、前記下面(18)に向き合う閉じた底部領域(24)を有し、この底部領域が好ましくは特に凸面状または特に凹面状の角または稜または類似の湾曲部を備えており、前記半導体材料(12)の酸化によって少なくとも前記くぼみ(20)の領域内で前記半導体材料(12)上に酸化膜(26)が被着され、前記酸化膜(26)が少なくとも前記底部領域(24)内に不均質部(28)を有し、少なくとも前記底部領域(24)内にある前記酸化膜(26)が露出するまで前記半導体ウェーハ(14)の前記下面(18)で前記半導体材料(12)が選択的にエッチバックされ、露出した前記酸化膜(26)が少なくともその刳り貫きに至るまでエッチングされることを特徴とする方法。
IPC (4)：
B82B 3/00
, B82B 1/00
, G01N 13/14
, H01L 21/306
B82B 3/00
, B82B 1/00
, G01N 13/14 B
, H01L 21/306 B
5F043AA02
, 5F043AA31
, 5F043BB02
, 5F043BB22
, 5F043GG05
